真空計PTR200N萊寶真空（kōng）泵

真空（kōng）計PTR200N萊寶真空泵（bèng）

 PTR 200 N PENNINGVAC 係列真空變送器可提供從 1×10-8 毫巴（bā）至 1500 毫巴的較大測量範圍，基於對 MEMS Pirani 矽（guī）芯片傳感器上（shàng）小（xiǎo）空（kōng）腔（qiāng）中的熱傳導性（xìng）、壓電傳感器中矽膜的機械偏（piān）轉和冷（lěng）陰極 (CC) 電離電流的測量結果。
PTR 200 N PENNINGVAC 變送器配備 RS232 數字通信（xìn）接口，可（kě）設（shè）定變（biàn）送器參數並提供實時壓力（lì）測（cè）量。更多詳情，請參閱通信協議 300544663 (RS232)。
每台（tái）變送（sòng）器在出廠前已逐台進行全量程測試。測試報告隨附在包裝（zhuāng）中。此外，每個變送器壓力（lì）讀（dú）數均在（zài）操作溫度（dù）範圍內逐一得到（dào）溫度補償。
變送器擁有（yǒu）三個（gè）機械（xiè）繼電器（qì），這些繼電器可用於過程控製，例如閥或泵的聯鎖。模擬電壓輸出可連接至外部模擬（nǐ）設備，獲取壓力讀（dú）數，或進行壓力控製。
傳感（gǎn）器技術
PTR 200 N PENNINGVAC 變送器（qì）含有兩個獨立的傳感（gǎn）器元件。MEMS Pirani (MEMS = Micro-Electro-Mechanical-System (微電子機械（xiè）係統)) 傳感器元件基於熱（rè）傳導性的測量結果。MEMS Pirani 傳感（gǎn）器包（bāo）含一個帶有熱電阻元件的矽芯（xīn）片，其構成空腔的一個（gè）表麵。芯片頂部的封蓋形（xíng）成空腔的另一表麵。由於傳感器的幾何形狀，空腔內無法（fǎ）進行（háng）對流（liú），因此（cǐ），傳感（gǎn）器對安裝位（wèi）置並不（bú）敏感。通（tōng）過擴散，氣（qì）體分子（zǐ）隻到達熱元件，在此處可（kě）測量氣體（tǐ）的（de）熱（rè）損耗。
冷陰極反（fǎn）磁（cí）控管采用高電壓（yā）陽極、陰極和永（yǒng）磁體。電子向陽極加速，並將通過（guò）碰撞而使分子離子（zǐ）化。磁場（chǎng）使電子偏（piān）轉，從而使電子在穿（chuān）過（guò）磁場前往（wǎng）陽極時做螺旋形（xíng）移動。這種螺旋運動增（zēng）大（dà）了電子（zǐ）遇到分子（zǐ）並（bìng）使分子離子化（huà）的（de）機會。
分子離子（zǐ）化產生電流，該電（diàn）流是壓力（lì）的函數。這兩（liǎng）個傳感器（qì）元件均極為堅固（gù）耐用，可（kě）承受較高重力和（hé）瞬間空氣湧入。
應（yīng）用
變（biàn）送器可（kě）用（yòng）於眾多不（bú）同領（lǐng）域的真空應用中，如：工業應（yīng）用、研發、半導體、分析和塗料工業中:
 一般真（zhēn）空壓力測量
 氣體回填測量和控製
 塗料
 質譜（pǔ）儀控製
 係統過（guò）程（chéng）控製
 檢測異常壓（yā）力（lì），利用設定點（diǎn）繼電器采取妥當的安全措施
 控製係統壓力（lì）

真空計（jì）PTR200N萊（lái）寶真空（kōng）泵（bèng）